In0.52Al0.48As/InxGa1-xAs (0.53<x<1.0) pseudomorphic high electron mobility transistors with high breakdown voltages : design and performances

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Japanese journal of applied physics 1996, Vol.35 (1A), p.10-15
Hauptverfasser:	DICKMANN, J, RIEPE, K, GEYER, A, MAILE, B. E, SCHURR, A, BERG, M, DAEMBKES, H
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Electronics Exact sciences and technology Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Transistors
Online-Zugang:	Volltext
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