Realization of Si1-x-yGexCy/Si heterostructures by pulsed laser induced epitaxy of C+ implanted pseudomorphic SiGe films and of a-SiGeC:H films deposited on Si(100)

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Journal of crystal growth 1995-12, Vol.157 (1-4), p.436-441
Hauptverfasser:	BOULMER, J, BOUCAUD, P, ROCA I CABARROCAS, P, GUEDJ, C, DEBARRE, D, BOUCHIER, D, FINKMAN, E, PRAWER, S, NUGENT, K, DESMUR-LARRE, A, GODET, C
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Cross-disciplinary physics: materials science rheology Exact sciences and technology Laser deposition Materials science Methods of deposition of films and coatings film growth and epitaxy Physics
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!