An accurate and efficient model for boron implants through thin oxide layers into single-crystal silicon : Special section on TCAD : process modeling

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	IEEE transactions on semiconductor manufacturing 1995, Vol.8 (4), p.408-413
Hauptverfasser:	MORRIS, S. J, YANG, S.-H, LIM, D. H, PARK, C, KLEIN, K. M, MANASSIAN, M, TASCH, A. F
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Electronics Exact sciences and technology Microelectronic fabrication (materials and surfaces technology) Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices
Online-Zugang:	Volltext
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