Improved Electrical Characteristics of Ge MOS Devices With High Oxidation State in HfGeOx Interfacial Layer Formed by In Situ Desorption

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE electron device letters 2014-05, Vol.35 (5), p.509-511
Hauptverfasser:	LI, Chen-Chien, CHANG-LIAO, Kuei-Shu, LIU, Li-Jung, LEE, Tzu-Min, FU, Chung-Hao, CHEN, Ting-Ching, CHENG, Jen-Wei, LU, Chun-Chang, WANG, Tien-Ko
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Compound structure devices Electronics Exact sciences and technology Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices
Online-Zugang:	Volltext
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