High-Voltage and Low-Leakage-Current Gate Recessed Normally-Off GaN MIS-HEMTs With Dual Gate Insulator Employing PEALD-SiNx/RF-Sputtered-HfO2

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE electron device letters 2014-02, Vol.35 (2), p.175-177
Hauptverfasser:	WOOJIN CHOI, OGYUN SEOK, HOJIN RYU, CHA, Ho-Young, SEO, Kwang-Seok
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Cross-disciplinary physics: materials science rheology Deposition by sputtering Electronics Exact sciences and technology Materials science Methods of deposition of films and coatings film growth and epitaxy Physics Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Transistors
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