Design of Ultra-Low Phase Noise and High Power Integrated Oscillator in 0.25 μm GaN-on-SiC HEMT Technology

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE microwave and wireless components letters 2014-02, Vol.24 (2), p.120-122
Hauptverfasser:	HANG LIU, XI ZHU, CHIRN CHYE BOON, XIANG YI, MENGDA MAO, WANLAN YANG
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Circuit properties Electric, optical and optoelectronic circuits Electronic circuits Electronic equipment and fabrication. Passive components, printed wiring boards, connectics Electronics Exact sciences and technology Oscillators, resonators, synthetizers
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