Electrical Comparison of HfO2 and ZrO2 Gate Dielectrics on GaN

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE transactions on electron devices 2013-12, Vol.60 (12), p.4119-4124
Hauptverfasser:	BOTHE, Kyle M, VON HAUFF, Peter A, AFSHAR, Amir, FOROUGHI-ABARI, Ali, CADIEN, Kenneth C, BARLAGE, Douglas W
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Dielectric, amorphous and glass solid devices Electronics Exact sciences and technology Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Transistors
Online-Zugang:	Volltext
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