The development of a highly selective KI/I2/H2O/H2SO4 etchant for the selective etching of Al0.3Ga0.7As over GaAs

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Japanese journal of applied physics 1997, Vol.36 (6A), p.3770-3774
Hauptverfasser:	LAU, W. S, CHOR, E. F, KEK, S. P, ABDUL AZIZ, W. H. B, LIM, H. C, HENG, C. H, ZHAO, R
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Electronics Exact sciences and technology Microelectronic fabrication (materials and surfaces technology) Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices
Online-Zugang:	Volltext
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