p-Channel Enhancement and Depletion Mode GaN-Based HFETs With Quaternary Backbarriers : GaN ELECTRONIC DEVICES

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:IEEE transactions on electron devices 2013, Vol.60 (10), p.3005-3011
Hauptverfasser: HAHN, Herwig, REUTERS, Benjamin, POOTH, Alexander, HOLLÄNDER, Bernd, HEUKEN, Michael, KALISCH, Holger, VESCAN, Andrei
Format: Artikel
Sprache:eng
Schlagworte:
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:0018-9383
1557-9646