Mechanism of tungsten atom formation in tungsten etchback using SF6/Ar helicon plasma

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Journal of the Electrochemical Society 1997-07, Vol.144 (7), p.2442-2447
Hauptverfasser:	CHANG JU CHOI, YEO SONG SEOL, O SUNG KWON, BAIK, K.-H
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Electronics Exact sciences and technology Microelectronic fabrication (materials and surfaces technology) Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices
Online-Zugang:	Volltext
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