Investigation of electron mobility in surface-channel Al2O3/In0.53Ga0.47As MOSFETs: Selected extended papers from ULIS 2012 conference

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Solid-state electronics 2013, Vol.88, p.37-42
Hauptverfasser:	NEGARA, M. A, DJARA, V, HURLEY, P. K, O'REGAN, T. P, CHERKAOUI, K, BURKE, M, GOMENIUK, Y. Y, SCHMIDT, M, O'CONNOR, E, POVEY, I. M, QUINN, A. J
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Electronics Exact sciences and technology Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Transistors
Online-Zugang:	Volltext
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