Properties of atomic layer deposited dielectrics for AlGaN/GaN device passivation: Gallium nitride electronics

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Semiconductor science and technology 2013, Vol.28 (7)
Hauptverfasser:	RAMANAN, Narayanan, LEE, Bongmook, KIRKPATRICK, Casey, SURI, Rahul, MISRA, Veena
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Electronics Exact sciences and technology Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Transistors
Online-Zugang:	Volltext
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