0.2-μm AlGaN/GaN High Electron-Mobility Transistors With Atomic Layer Deposition Al2O3 Passivation

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE electron device letters 2013-06, Vol.34 (6), p.744-746
Hauptverfasser:	DONG XU, KANIN CHU, DIAZ, Jose, WENHUA ZHU, ROY, Richard, PLEASANT, Louis Mt, NICHOLS, Kirby, CHAO, Pane-Chane, MIN XU, YE, Peide D
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Design. Technologies. Operation analysis. Testing Electronics Exact sciences and technology Integrated circuits Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Transistors
Online-Zugang:	Volltext
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