EOT Scaling of TiO2/Al2O3 on Germanium pMOSFETs and Impact of Gate Metal Selection

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE electron device letters 2013-06, Vol.34 (6), p.732-734
Hauptverfasser:	LIANGLIANG ZHANG, GUNJI, Marika, THOMBARE, Shruti, MCINTYRE, Paul C
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Electronics Exact sciences and technology Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Transistors
Online-Zugang:	Volltext
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