Forming Kinetics in HfO2-Based RRAM Cells

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE transactions on electron devices 2013, Vol.60 (1), p.438-443
Hauptverfasser:	LORENZI, Paolo, RAO, Rosario, IRRERA, Fernanda
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Design. Technologies. Operation analysis. Testing Electronics Exact sciences and technology Integrated circuits Integrated circuits by function (including memories and processors) Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices
Online-Zugang:	Volltext
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