Self-Rectifying Resistive-Switching Device With a-Si/WO3 Bilayer

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE electron device letters 2013-02, Vol.34 (2), p.229-231
Hauptverfasser:	HANGBING LV, YINGTAO LI, QI LIU, SHIBING LONG, LING LI, MING LIU
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Circuit properties Design. Technologies. Operation analysis. Testing Electric, optical and optoelectronic circuits Electronic circuits Electronics Exact sciences and technology Integrated circuits Interfaces Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Switching, multiplexing, switched capacity circuits
Online-Zugang:	Volltext
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