Numerical modelling and characterization of high-frequency high-power high-temperature GaN/SiC heterostructure bidolar transistors

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	International journal of electronics 1997, Vol.82 (6), p.567-574
Hauptverfasser:	FARDI, H. Z, ALAGHBAND, G, PANKOVE, J. I
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Electronics Exact sciences and technology Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Transistors
Online-Zugang:	Volltext
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