Transformation of deep-level spectrum of irradiated silicon due to hydrogenation under wet chemical etching

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Semiconductor science and technology 1997, Vol.12 (6), p.742-749
Hauptverfasser:	FEKLISOVA, O. V, YARYKIN, N. A
Format:	Artikel
Sprache:	rus
Online-Zugang:	Volltext
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