An accurate MOSFET aging model for 28 nm integrated circuit simulation

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Microelectronics and reliability 2012-08, Vol.52 (8), p.1565-1570
Hauptverfasser:	TUDOR, Bogdan, WANG, Joddy, ZHAOPING CHEN, ROBIN TAN, WEIDONG LIU, LEE, Frank
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Design. Technologies. Operation analysis. Testing Electric, optical and optoelectronic circuits Electronics Exact sciences and technology Integrated circuits Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Theoretical study. Circuits analysis and design Transistors
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