Design of High-Aspect-Ratio T-Gates on N-Polar GaN/AlGaN MIS-HEMTs for High fmax

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE electron device letters 2012-06, Vol.33 (6), p.785-787
Hauptverfasser:	DENNINGHOFF, Daniel J, DASGUPTA, Sansaptak, JING LU, KELLER, Stacia, MISHRA, Umesh K
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Cross-disciplinary physics: materials science rheology Electronics Exact sciences and technology Interfaces Materials science Methods of deposition of films and coatings film growth and epitaxy Microelectronic fabrication (materials and surfaces technology) Molecular, atomic, ion, and chemical beam epitaxy Physics Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Transistors
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!