Impact of Individual Charged Gate-Oxide Defects on the Entire ID-VG Characteristic of Nanoscaled FETs

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	IEEE electron device letters 2012, Vol.33 (6), p.779-781
Hauptverfasser:	FRANCO, Jacopo, KACZER, Ben, TOLEDANO-LUQUE, Maria, FAIZ BUKHORI, Muhammad, ROUSSEL, Philippe J, GRASSER, Tibor, ASENOV, Asen, GROESENEKEN, Guido
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Electronics Exact sciences and technology Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Transistors
Online-Zugang:	Volltext
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