Hyperthermal Oxidation of Si(100)2x1 Surfaces: Effect of Growth Temperature

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Veröffentlicht in:	Journal of physical chemistry. C 2012-04, Vol.116 (15), p.8649-8656
Hauptverfasser:	KHALILOV, U, POURTOIS, G, DUIN, A. C. T. Van, NEYTS, E. C
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Cross-disciplinary physics: materials science rheology Electronics Exact sciences and technology Materials science Methods of deposition of films and coatings film growth and epitaxy Molecular electronics, nanoelectronics Physics Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Theory and models of film growth
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