Growth of InAs/GaSb strained layer superlattices by MOVPE. III. Use of UV absorption to monitor alkyl stability in the reactor

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: BOOKER, G. R, DALY, M, NICHOLAS, R. J, SYMONS, D. M, VICENTE, P, WALKER, P. J, KLIPSTEIN, P. C, LAKRIMI, M, KUECH, T. F, LI, J, LYAPIN, S. G, MASON, N. J, MURGATROYD, I. J, PORTAL, J. C
Format: Tagungsbericht
Sprache:eng
Schlagworte:
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:0022-0248
1873-5002
DOI:10.1016/S0022-0248(96)00578-7