Concentration of uncompensated impurities as a key parameter of CdTe and CdZnTe crystals for Schottky diode x/γ-ray detectors

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Semiconductor science and technology 2012, Vol.27 (1)
Hauptverfasser:	KOSYACHENKO, L. A, LAMBROPOULOS, C. P, CROCCO, J, BENSALAH, H, AOKI, T, DIEGUEZ, E, FIEDERLE, M, LOUKAS, D, SKLYARCHUK, O. V, MASLYANCHUK, O. L, GRUSHKO, E. V, SKLYARCHUK, V. M
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Exact sciences and technology Instruments, apparatus, components and techniques common to several branches of physics and astronomy Physics X- and γ-ray instruments and techniques X- and γ-ray sources, mirrors, gratings and detectors
Online-Zugang:	Volltext
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