EPR study of conduction electrons in heavily doped n-type 4H SiC

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Physica status solidi. B. Basic research 2011, Vol.248 (12), p.2950-2956
Hauptverfasser:	SAVCHENKO, Dariya V, KALABUKHOVA, Ekaterina N, PÖPPL, Andreas, MOKHOV, Evgenij N, SHANINA, Bela D
Format:	Artikel
Sprache:	rus
Online-Zugang:	Volltext
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