Room temperature pulsed operation of nitride based multi-quantum-well laser diodes with cleaved facets on conventional facets on conventional C-face sapphire substrates

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Japanese journal of applied physics 1996, Vol.35 (10B), p.L1315-L1317
Hauptverfasser:	ITAYA, K, ONOMURA, M, KOKUBUN, Y, OHBA, Y, HATAKOSHI, G.-I, ISHIKAWA, M, NISHIO, J, SUGIURA, L, SAITO, S, SUZUKI, M, RENNIE, J, NUNOUE, S.-Y, YAMAMOTO, M, FUJIMOTO, H
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Electronics Exact sciences and technology Optoelectronic devices Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices
Online-Zugang:	Volltext
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