Comparative Analysis of Temperature-Dependent Electrical and Dielectric Properties of an Al―TiW―Pd2Si/n-Si Schottky Device at Two Frequencies

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE transactions on electron devices 2011-11, Vol.58 (11), p.4042-4048
Hauptverfasser:	DOKME, Ilbilge, ALTINDAL, Semsettin
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Diodes Electronics Exact sciences and technology Microelectronic fabrication (materials and surfaces technology) Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices
Online-Zugang:	Volltext
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