Physical and Electrical Performance Limits of High-Speed SiGeC HBTs—Part II: Lateral Scaling

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE transactions on electron devices 2011-11, Vol.58 (11), p.3697-3706
Hauptverfasser:	SCHROTER, Michael, KRAUSE, Julia, RINALDI, Niccolò, WEDEL, Gerald, HEINEMANN, Bernd, CHEVALIER, Pascal, CHANTRE, Alain
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Electric, optical and optoelectronic circuits Electronics Exact sciences and technology Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Theoretical study. Circuits analysis and design Transistors
Online-Zugang:	Volltext
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