Comprehensive thermal characterization using ruby R fluorescence lines of sapphire and GaNE2-high Raman mode from Raman spectra in high-power flip-chip InGaN/GaN LEDs

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Journal of physics. D, Applied physics Applied physics, 2011-09, Vol.44 (35)
Hauptverfasser:	CUI, M, ZHOU, T. F, WANG, M. R, HUANG, J, HUANG, H. J, ZHANG, J. P, XU, K, YANG, H
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Electronics Exact sciences and technology Materials Miscellaneous Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices
Online-Zugang:	Volltext
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