Transport of nitrogen atoms during liquid phase epitaxial growth of InAsN and GaAsN

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Semiconductor science and technology 2011-08, Vol.26 (8), p.085025
Hauptverfasser: Das, S C, Dhar, S
Format: Artikel
Sprache:eng
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:0268-1242
1361-6641
DOI:10.1088/0268-1242/26/8/085025