Thermal Stability and Dopant Segregation for Schottky Diodes With Ultrathin Epitaxial NiSi2-y

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE electron device letters 2011-08, Vol.32 (8), p.1029-1031
Hauptverfasser:	JUN LUO, XINDONG GAO, QIU, Zhi-Jun, JUN LU, DONGPING WU, CHAO ZHAO, JUNFENG LI, DAPENG CHEN, HULTMAN, Lars, ZHANG, Shi-Li
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Diodes Electronics Exact sciences and technology Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!