Cathodoluminescence evidence of stress-induced outdiffusion of beryllium in AlGaAs/GaAs heterojunction bipolar transistors

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Journal of physics. D, Applied physics Applied physics, 1998-11, Vol.31 (21), p.3004-3008
Hauptverfasser:	Borgarino, Mattia, Salviati, Giancarlo, Cattani, Laura, Lazzarini, Laura, Fregonara, Carlo Zanotti, Fantini, Fausto, Carnera, Alberto
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Electronics Exact sciences and technology Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Transistors
Online-Zugang:	Volltext
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