Polarized Raman spectroscopy clarifies the effect of crysta! anisotropy on elastic stress fie!ds developed on the surface of silicon single-crystal : Advances in Electronic Materials and Devices in the Far East

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Veröffentlicht in:Physica status solidi. A, Applications and materials science Applications and materials science, 2011, Vol.208 (5), p.1093-1098
Hauptverfasser: PORPORATI, Alessandro Alan, PEZZOTTI, Giuseppe
Format: Artikel
Sprache:eng
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:1862-6300
1862-6319