Fabrication of InP/InGaAs DHBTs with Buried SiO2 Wires : Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEICE transactions on electronics 2011, Vol.94 (5), p.830-834
Hauptverfasser:	TAKEBE, Naoaki, KOBAYASHI, Takashi, SUZUKI, Hiroyuki, MIYAMOTO, Yasuyuki, FURUYA, Kazuhito
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Chemical vapor deposition (including plasma-enhanced cvd, mocvd, etc.) Cross-disciplinary physics: materials science rheology Electronics Exact sciences and technology Materials science Methods of deposition of films and coatings film growth and epitaxy Microelectronic fabrication (materials and surfaces technology) Physics Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Transistors
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:	0916-8524 1745-1353