Study on Collective Electron Motion in Si-Nano Dot Floating Gate MOS Capacitor : Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	IEICE transactions on electronics 2011, Vol.94 (5), p.730-736
Hauptverfasser:	MURAGUCHI, Masakazu, SAKURAI, Yoko, TAKADA, Yukihiro, NOMURA, Shintaro, SHIRAISHI, Kenji, IKEDA, Mitsuhisa, MAKIHARA, Katsunori, MIYAZAKI, Seiichi, SHIGETA, Yasuteru, ENDOH, Tetsuo
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Dielectric, amorphous and glass solid devices Electronics Exact sciences and technology Molecular electronics, nanoelectronics Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices
Online-Zugang:	Volltext
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