An Investigation of the Electrical Degradation of GaN High-Electron-Mobility Transistors by Numerical Simulations of DC Characteristics and Scattering Parameters: Group III Nitrides, SiC and ZnO

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Journal of electronic materials 2011, Vol.40 (4), p.362-368
Hauptverfasser:	DI LECCE, Valerio, ESPOSTO, Michele, BONAIUTI, Matteo, FANTINI, Fausto, MENEGHESSO, Gaudenzio, ZANONI, Enrico, CHINI, Alessandro
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Electronics Exact sciences and technology Materials Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Transistors
Online-Zugang:	Volltext
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