Impact of Ge―Sb―Te compound engineering on the set operation performance in phase-change memories: Special Issue Devoted to the 2nd International Memory Workshop (IMW 2010)
Gespeichert in:
Veröffentlicht in: | Solid-state electronics 2011, Vol.58 (1), p.11-16 |
---|---|
Hauptverfasser: | , , , , , , , , , , , , , |
Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
Schlagworte: | |
Online-Zugang: | Volltext |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Zusammenfassung: | |
---|---|
ISSN: | 0038-1101 1879-2405 |