Characterizing Voltage Linearity and Leakage Current of High Density Al2O3/HfO2/Al2O3 MIM Capacitors

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE electron device letters 2011-03, Vol.32 (3), p.384-386
Hauptverfasser:	SUNG KYUN LEE, KWAN SOO KIM, KIM, Soon-Wook, DAL JIN LEE, SANG JONG PARK, KIM, Sibum
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Dielectric, amorphous and glass solid devices Electronics Exact sciences and technology Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices
Online-Zugang:	Volltext
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