Temperature-Dependent Microwave Noise Characteristics in ALD Al2O3/AlGaN/GaN MISHEMTs on Silicon Substrate

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE electron device letters 2011-03, Vol.32 (3), p.318-320
Hauptverfasser:	LIU, Z. H, NG, G. I, ARULKUMARAN, S, MAUNG, Y. K. T, TEO, K. L, FOO, S. C, VICKNESH, S
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Electronics Exact sciences and technology Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Transistors
Online-Zugang:	Volltext
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