On the profile of frequency dependent dielectric properties of (Ni/Au)/GaN/Alo.3Gao.7N heterostructures

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Microelectronics and reliability 2011, Vol.51 (3), p.581-586
Hauptverfasser:	TEKELI, Z, GÖKCEN, M, ALTINDAL, S, ÖZCELIK, S, ÖZBAY, E
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Compound structure devices Electronics Exact sciences and technology Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices
Online-Zugang:	Volltext
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