III―V Multiple-Gate Field-Effect Transistors With High-Mobility In0.7Ga0.3As Channel and Epi-Controlled Retrograde-Doped Fin

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE electron device letters 2011-02, Vol.32 (2), p.146-148
Hauptverfasser:	CHIN, Hock-Chun, XIAO GONG, LANXIANG WANG, HOCK KOON LEE, LUPING SHI, YEO, Yee-Chia
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Electronics Exact sciences and technology Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Transistors
Online-Zugang:	Volltext
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