Advances in group III-nitride-based deep UV light-emitting diode technology: From heterostructures to nanostructures

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Semiconductor science and technology 2011, Vol.26 (1)
Hauptverfasser:	KNEISSL, M, KOLBE, T, JOHNSON, N. M, WEYERS, M, CHUA, C, KUELLER, V, LOBO, N, STELLMACH, J, KNAUER, A, RODRIGUEZ, H, EINFELDT, S, YANG, Z
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Electronics Exact sciences and technology Optoelectronic devices Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices
Online-Zugang:	Volltext
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