The Role of CuAlO Interface Layer for Switching Behavior of Al/CuxO/Cu Memory Device

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE electron device letters 2010-12, Vol.31 (12), p.1464-1466
Hauptverfasser:	HANGBING LV, TINGAO TANG
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Design. Technologies. Operation analysis. Testing Electronics Exact sciences and technology Integrated circuits Integrated circuits by function (including memories and processors) Magnetic and optical mass memories Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Storage and reproduction of information
Online-Zugang:	Volltext
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