Normally off operation GaN-based MOSFETs for power electronics applications

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Semiconductor science and technology 2010-12, Vol.25 (12), p.125006
Hauptverfasser: Niiyama, Yuki, Ootomo, Shinya, Li, Jiang, Nomura, Takehiko, Kato, Sadahiro, Chow, T Paul
Format: Artikel
Sprache:eng
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:0268-1242
1361-6641
DOI:10.1088/0268-1242/25/12/125006