Efficient III–V tunneling diodes with ErAs recombination centers

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Semiconductor science and technology 2010-11, Vol.25 (11), p.115004
Hauptverfasser:	Preu, S, Malzer, S, Döhler, G H, Lu, H, Gossard, A C, Wang, L J
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Diodes Electronics Exact sciences and technology Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices
Online-Zugang:	Volltext
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