A 0.13 μm SiGe BiCMOS Technology Featuring fT/fmax of 240/330 GHz and Gate Delays Below 3 ps : The 23rd bipolar/BICMOS circuits and technology meeting

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE journal of solid-state circuits 2010, Vol.45 (9), p.1678-1686
Hauptverfasser:	RÜCKER, Holger, HEINEMANN, Bernd, KNOLL, Dieter, KORNDÖRFER, Falk, MAI, Andreas, MARSCHMEYER, Steffen, SCHLEY, P, SCHMIDT, D, SCHMIDT, J, ANDREAS SCHUBERT, Markus, SCHULZ, K, TILLACK, Bernd, WINKLER, Wolfgang, WOLANSKY, D, YAMAMOTO, Yuji, BARTH, R, BORNGRÄBER, J, DREWS, J, FISCHER, Gerhard G, FOX, Alexander, GRABOLLA, Thomas, HAAK, U
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Circuit properties Design. Technologies. Operation analysis. Testing Electric, optical and optoelectronic circuits Electronic circuits Electronics Exact sciences and technology Integrated circuits Microwave circuits, microwave integrated circuits, microwave transmission lines, submillimeter wave circuits Oscillators, resonators, synthetizers Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Transistors
Online-Zugang:	Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:	0018-9200 1558-173X