Intrinsic doping and gate hysteresis in graphene field effect devices fabricated on SiO2 substrates: Carbon and related nanomaterials: a festschrift in memory of Peter Clay Eklund

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Journal of physics. Condensed matter 2010, Vol.22 (33)
Hauptverfasser:	JOSHI, P, ROMERO, H. E, NEAL, A. T, TOUTAM, V. K, TADIGADAPA, S. A
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Electronics Exact sciences and technology Molecular electronics, nanoelectronics Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Transistors
Online-Zugang:	Volltext
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