Investigation of radiation sensitivity and post-irradiation thermal sensitivity of MOS transistor

Bibliographische Detailangaben

Hauptverfasser:	ODALOVIC, M, VUCKOVIC, B, MANIC, I, PAVLOVIC, Z
Format:	Tagungsbericht
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Electronics Exact sciences and technology Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Transistors
Online-Zugang:	Volltext
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