Design and Analysis of Ultra Wideband GaN Dual-Gate HEMT Low-Noise Amplifiers: SPECIAL ISSUE ON 2009 INTERNATIONAL MICROWAVE SYMPOSIUM

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	IEEE transactions on microwave theory and techniques 2009, Vol.57 (12), p.3270-3277
Hauptverfasser:	SHIH, Shih-En, DEAL, William R, YAMAUCHI, Derrick M, SUTTON, William E, LUO, Wen-Ben, YAOCHUNG CHEN, SMORCHKOVA, Ioulia P, HEYING, Benjamin, WOJTOWICZ, Michael, SIDDIQUI, Mansoor
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Amplifiers Applied sciences Circuit properties Electric, optical and optoelectronic circuits Electronic circuits Electronics Exact sciences and technology
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!