fmax Improvement by Controlling Extrinsic Parasitics in Circuit-Level MOS Transistor

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE electron device letters 2009-12, Vol.30 (12), p.1323-1325
Hauptverfasser:	JHON, Hee-Sauk, LEE, Jae-Hong, LEE, Jaeho, OH, Byoungchan, SONG, Ickhyun, YEONAM YUN, PARK, Byung-Gook, LEE, Jong-Duk, SHIN, Hyungcheol
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Design. Technologies. Operation analysis. Testing Electronics Exact sciences and technology Integrated circuits Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Transistors
Online-Zugang:	Volltext
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